Apple के SoC स्टोरेज डिपार्टमेंट के इंजीनियर सुकल्पा बिस्वास और फरीद नेमाती ने मिलकर एक नए मल्टी-लेयर हाइब्रिड स्टोरेज सबसिस्टम पेटेंट का प्रस्ताव रखा "एक स्टोरेज सिस्टम जो हाई-डेंसिटी, लो-फ्रीक्वेंसी स्टोरेज और लो-डेंसिटी, हाई-फ्रीक्वेंसी स्टोरेज को जोड़ती है।"
डिजिटाइम्स ने टॉम के हार्डवेयर की एक रिपोर्ट के हवाले से बताया कि डीआरएएम के निरंतर विकास के साथ, डीआरएएम डिजाइन विभिन्न एप्लिकेशन लक्ष्यों के कारण तेजी से जटिल हो गया है। डिज़ाइन जो स्टोरेज घनत्व / क्षमता में सुधार पर ध्यान केंद्रित करते हैं, वे बैंडविड्थ को कम (या कम से कम नहीं बढ़ाते हैं) करते हैं, जबकि बैंडविड्थ को बढ़ाने वाले डिज़ाइन क्षमता (और कम से कम वृद्धि नहीं) क्षमता और ऊर्जा दक्षता को कम करते हैं। SoC डिजाइनरों के लिए, कैसे स्टोरेज बैंडविड्थ, क्षमता, बिजली की खपत और चिप एप्लिकेशन आवश्यकताओं के जवाब में लागत के बीच सबसे अच्छा संतुलन प्राप्त करने के लिए एक बड़ी चुनौती बन गई है।
अपनी नई पेटेंट तकनीक के आधार पर ऐप्पल की हाइब्रिड स्टोरेज प्रणाली में कम से कम दो अलग-अलग प्रकार के DRAM स्टोरेज शामिल हो सकते हैं (उदाहरण के लिए, एक उच्च-घनत्व DRAM है, दूसरा कम-घनत्व या कम-विलंबता और उच्च-बैंडविड्थ DRAM है)। यह ऊर्जा-कुशल संचालन को प्राप्त करने और मोबाइल उपकरणों और अन्य उपकरणों के लिए भंडारण क्षमता बढ़ाने में मदद करता है जो कुंजी के रूप में बिजली की खपत और दक्षता-से-बिजली अनुपात का संबंध रखते हैं।
यह बताया गया है कि पेटेंट कई इंटरकनेक्शन तकनीकों जैसे कि सिलिकॉन के माध्यम से (TSV) के माध्यम से हाईब्रिड कैश DRAM और मुख्य DRAM को संयोजित करने वाले कई हाइब्रिड स्टोरेज सिस्टम का उपयोग करने का वर्णन करता है। इसके अलावा, पेटेंट एप्लिकेशन SoC को कवर करता है, न कि पीसी प्रोसेसर को।
ऐप्पल ने यूरोपीय पेटेंट कार्यालय (ईपीओ), साथ ही संयुक्त राज्य अमेरिका, चीन और जापान में पेटेंट नियामक एजेंसियों के लिए उपरोक्त पेटेंट आवेदन दायर किए हैं।